-
1 Torspannung
сущ.2) микроэл. напряжение стробирующего сигнала, напряжение затвора (полевого транзистора), напряжение на затворе (полевого транзистора), напряжение на управляющем электроде (тиристора) -
2 Torspannung
f1) напряжение затвора, напряжение на затворе ( полевого транзистора) -
3 G-S-Vorspannung
1. сокр.микроэл. напряжение (смещения) затвор-исток2. сущ.микроэл. напряжение (смещения) затвор исток, управляющее напряжение на затворе -
4 Gate-Source-Steuerspannung
сущ.микроэл. управляющее напряжение затвор исток, управляющее напряжение затвор-исток, управляющее напряжение на затвореУниверсальный немецко-русский словарь > Gate-Source-Steuerspannung
-
5 Gate-Spannung
сущ.микроэл. (управляющее) напряжение на затворе, напряжение затвора -
6 Gate-Spannung
fнапряжение затвора, (управляющее) напряжение на затвореDeutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Gate-Spannung
-
7 breech voltage
Оружейное производство: напряжение на затворе -
8 Gate-Sperrspannung
сущ.микроэл. запирающее напряжение на затворе -
9 Gate-Steuerspannung
сущ.микроэл. управляющее напряжение на затворе -
10 Gate-Steuerspannung
Deutsch-Russische Wörterbuch polytechnischen > Gate-Steuerspannung
-
11 tension de blocage
- напряжение запирания ЭОП
- напряжение запирания генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы
- запирающее напряжение электронно-лучевого прибора
запирающее напряжение электронно-лучевого прибора
Напряжение электрода электронно-лучевого прибора, при котором значение зависящего от него параметра принимает заданное малое значение.
[ ГОСТ 17791-82]Тематики
EN
DE
FR
напряжение запирания ЭОП
Напряжение на электронно-оптическом затворе ЭОП, при котором для заданной освещенности на входе яркость остаточного свечения на выходе достигает минимального значения.
Обозначение
UЗ
[ ГОСТ 19803-86]Тематики
EN
DE
FR
напряжение запирания генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы
напряжение запирания
Напряжение управляющей сетки или управляющего электрода генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы при заданных напряжениях других электродов, при котором ток заданного электрода имеет заданное малое значение.
[ ГОСТ 20412-75]Тематики
Синонимы
EN
FR
48. Напряжение запирания генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы
Напряжение запирания
E. Cut-off voltage
F. Tension de blocage
Напряжение управляющей сетки или управляющего электрода генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы при заданных напряжениях других электродов, при котором ток заданного электрода имеет заданное малое значение
Источник: ГОСТ 20412-75: Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de blocage
-
12 Sperrspannung
запирающее напряжение электронно-лучевого прибора
Напряжение электрода электронно-лучевого прибора, при котором значение зависящего от него параметра принимает заданное малое значение.
[ ГОСТ 17791-82]Тематики
EN
DE
FR
напряжение запирания ЭОП
Напряжение на электронно-оптическом затворе ЭОП, при котором для заданной освещенности на входе яркость остаточного свечения на выходе достигает минимального значения.
Обозначение
UЗ
[ ГОСТ 19803-86]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Sperrspannung
-
13 blocking bias
напряжение запирания ЭОП
Напряжение на электронно-оптическом затворе ЭОП, при котором для заданной освещенности на входе яркость остаточного свечения на выходе достигает минимального значения.
Обозначение
UЗ
[ ГОСТ 19803-86]Тематики
EN
DE
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > blocking bias
-
14 gate bias
-
15 одноэлектронный транзистор
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.
Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > одноэлектронный транзистор
-
16 single-electron transistor
Одноэлектронный транзисторНаноэлектронное устройство, основанное на эффекте дискретного туннелирования отдельных электронов и обеспечивающее ультранизкие уровни потребления энергии при ультранизких рабочих напряжениях.Схема одноэлектронного транзистора.Если приложить некоторое небольшое напряжение между истоком и стоком транзистора, то ток протекать не будет, поскольку электроны в данный момент заблокированы на наночастице. Для появления тока необходимо увеличить потенциал на управляющем электроде – затворе. Только когда потенциал на затворе станет больше некоторого порогового значения, блокада прорывается, электрон получает способность пройти через барьер, и в цепи исток-сток начинает протекать ток. Таким образом, управляя потенциалом на затворе, можно пропускать через барьеры одиночные электроны.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > single-electron transistor
-
17 gate bias
1) Электроника: напряжение смещения на затворе2) Микроэлектроника: смещение затвора -
18 Gatevorspannung
сущ.микроэл. напряжение смещения на затворе, смещение затвора -
19 gate bias
пп напряжение смещения на затворе, смещение затвора -
20 gate bias
пп. напряжение смещения на затворе, смещение затвораThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > gate bias
- 1
- 2
См. также в других словарях:
напряжение запирания ЭОП — Напряжение на электронно оптическом затворе ЭОП, при котором для заданной освещенности на входе яркость остаточного свечения на выходе достигает минимального значения. Обозначение UЗ [ГОСТ 19803 86] Тематики преобразователи электронно оптические… … Справочник технического переводчика
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
СЭСППЗУ — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флеш память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш-диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш-карты — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш-карта — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
Флэш-память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия
High-k — High k технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала с диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния. Название происходит от диэлектрической константы материала … Википедия
одноэлектронный транзистор — Термин одноэлектронный транзистор Термин на английском single electron transistor Синонимы Аббревиатуры SET Связанные термины Определение элементарный транзистор, содержащий только одну область проводимости (островок), соединённую с истоковым и… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
